英特爾公司今天宣布其成為全球第一家在45納米制程邏輯技術(shù)開(kāi)發(fā)中取得重大成果的公司。英特爾已經(jīng)成功生產(chǎn)出了全球首款采用45納米制程技術(shù)的全功能SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）芯片。45納米制程技術(shù)將被大規(guī)模應(yīng)用于制造英特爾公司的下一代芯片。
這一重大成就說(shuō)明英特爾正向著在2007年利用45納米制程技術(shù)在300毫米晶圓上生產(chǎn)芯片這一目標(biāo)快速邁進(jìn)。同時(shí)，它還意味著英特爾將繼續(xù)致力于推進(jìn)摩爾定律的延伸，每?jī)赡晖瞥鲂乱淮轮瞥坦に嚰夹g(shù)。
目前，英特爾在大批量生產(chǎn)65納米芯片方面居于行業(yè)領(lǐng)先地位，并已經(jīng)擁有兩家65納米芯片制造工廠，分別位于美國(guó)亞利桑那州和俄勒岡州。2006年，英特爾在愛(ài)爾蘭和美國(guó)俄勒岡州還將有兩家新的65納米芯片制造工廠全面投產(chǎn)。
英特爾公司副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理Bill Holt談到：“作為首家率先推出45納米芯片成品并已經(jīng)具有大規(guī)模65納米芯片生產(chǎn)能力的公司，英特爾彰顯了其在芯片技術(shù)和芯片制造方面的領(lǐng)先地位。英特爾長(zhǎng)期以來(lái)一直致力于讓大眾在每次技術(shù)飛躍中切實(shí)受益。我們的45納米技術(shù)為個(gè)人電腦實(shí)現(xiàn)更高的每瓦性能比奠定了基礎(chǔ)，能夠帶來(lái)更好的用戶體驗(yàn)。”
英特爾45納米制程技術(shù)將提供比現(xiàn)有芯片低5倍的漏電率。這將顯著延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池使用壽命，并推進(jìn)體積更小但功能更強(qiáng)大的平臺(tái)的構(gòu)建。
45納米SRAM芯片包含超過(guò)10億個(gè)晶體管。雖然SRAM不作為英特爾產(chǎn)品，但在處理器和其它邏輯芯片采用45納米制造工藝之前，SRAM證明了其出色的技術(shù)性能、制程良率（process yield）與芯片可靠性。這是朝著邁向大規(guī)模生產(chǎn)全球最復(fù)雜設(shè)備這一目標(biāo)的關(guān)鍵的第一步。
除了最初開(kāi)展45納米研發(fā)工作的、位于俄勒岡州的D1D工廠外，英特爾也同時(shí)宣布了其正在建設(shè)中的另外兩個(gè)將具有大規(guī)模生產(chǎn)能力的45納米芯片制造工廠，分別是位于亞利桑那州的32號(hào)工廠和以色列的28號(hào)工廠。
